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晶振系列

首頁應用案例智能家居百利通亞陶晶振,FH晶振,2520晶振,四腳貼片晶振

    百利通亞陶晶振,FH晶振,2520晶振,四腳貼片晶振

  • 規(guī)格型號:74923618
  • 頻率:16.000MHZ~66.000MHZ
  • 尺寸:2.5*2.0*0.6mm 詳細資料請查看PDF
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:廣泛應用于單反數(shù)碼相機,計算機,U盤,萬能遙控器,全球定位系統(tǒng),無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),MP5等產(chǎn)品.

百利通亞陶晶振,FH晶振,2520晶振,四腳貼片晶振
參數(shù):頻率范圍16.000MHZ-66.000MHZ
激勵電平: 10μW (Max.100μW )
負載電容:16PF
工作溫度: -20℃~+70℃
保存溫度: -55℃~+125℃
精度 ±10ppm,±20ppm,±30ppm,±50ppm
捆包范圍:3000pcs/reel
尺寸:輕薄小巧型2.5*2.0*0.6mm
應用:
無線路由器,顯示屏設備,智能多用途手機,平板筆記本電腦,智能玩具,網(wǎng)絡設備,行動通信系統(tǒng)/裝置等產(chǎn)品。

      Pericom公司于1990年由許志明和許志恒(Alex Hui 和 John Hui)共同在美國加州圣何西市創(chuàng)立,公司由此蓬勃發(fā)展成為一家在全球擁有超過900名員工的公司,并在北美(我們的總部所在地)和亞洲建立了設計中心;我們的晶振技術(shù)和銷售支持辦事處遍布全球。
       我們專注于提供能夠?qū)崿F(xiàn)更好、更快并且更可靠的信號連接的解決方案,這種專注已經(jīng)造就了我們多樣化的硅芯片、石英晶體及晶體振蕩器產(chǎn)品組合都是完全集成與兼容的,以發(fā)揮高速信號的最大潛能。


        百利通亞陶晶振,FH晶振,2520晶振,四腳貼片晶振,是總部位于美國的上市公司Pericom生產(chǎn)的一款石英晶體諧振器,在臺灣設立工廠,完美的2520小型化體積,擁有±10ppm,±20ppm,±30ppm,±50ppm多種精度可供選擇,FH晶振的負載電容常規(guī)為16PF,是一款高品質(zhì)高穩(wěn)定性的石英晶振,特別適合用在要求高的IT數(shù)碼產(chǎn)品。

百利通亞陶晶振型號 FH晶振,臺灣亞陶晶體
頻率范圍 16.000MHZ~66.000MHZ
頻率公差(25℃) ±10ppm,±20ppm,±30ppm,±50ppm
頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍 ±30ppm,±50ppm 可指定
操作溫度范圍 -20~+ 70℃,可指定
并聯(lián)電容CO 3pF Max.
驅(qū)動電平 10μW(μW200典型)
負載電容 7pF~32pF,可指定
老化(25℃) ±3ppm /年最大。
存儲溫度范圍 -50~+125℃



存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存SMD晶振產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2) 請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的石英晶體諧振器產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保貼片石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。


1. 驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示石英振蕩器的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
 
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加無源晶振振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
注意事項-振蕩補償.png
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能會導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
電容特征.png
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考.png
                           振蕩回路參數(shù)設置參考

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