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首頁金洛博客 具有低相位噪聲性能的TCXO為微蜂窩技術(shù)提供穩(wěn)定性能和靈活性CTS589L120X2CTT

具有低相位噪聲性能的TCXO為微蜂窩技術(shù)提供穩(wěn)定性能和靈活性CTS589L120X2CTT

來源：http://www.kaikei-kansa.com 作者：lzf 2022年06月24
更多的應(yīng)用程序和系統(tǒng)配置需要定時(shí)冗余和本地時(shí)鐘功能作為標(biāo)準(zhǔn)操作的一部分。網(wǎng)絡(luò)元素被設(shè)計(jì)為在鎖定模式(系統(tǒng)鎖定到網(wǎng)絡(luò)參考或GPS)或保持模式下運(yùn)行。本地定時(shí)裝置必須使系統(tǒng)以特定的頻率漂移率運(yùn)行。同時(shí)，無線導(dǎo)航GPS應(yīng)用，如海底地震節(jié)點(diǎn)，軍事數(shù)據(jù)鏈，或電池操作的測試齒輪使用本地振蕩器作為GPS和降噪元件的備份機(jī)制。石英計(jì)時(shí)設(shè)備最適合用于“時(shí)鐘備份”和眾所周知的性能屬性，如;高Q，長期的精度和穩(wěn)定性，以及顯著的成本效益。本文將討論石英基振蕩器中影響石英晶體頻率漂移的關(guān)鍵元素;老化。
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“老化”一詞有時(shí)與頻率漂移一詞互換使用，指石英晶體振蕩器中頻率隨時(shí)間的變化。然而，根據(jù)國際無線電咨詢委員會(huì)(CCIR)的定義，老化是“由于振蕩器內(nèi)部的變化導(dǎo)致頻率隨時(shí)間的系統(tǒng)性變化”。相反，漂移被定義為振蕩器的頻率隨時(shí)間的系統(tǒng)變化。漂移是的總和晶體老化等外部和環(huán)境因素。對(duì)于這個(gè)討論，我們將專注于晶體老化。
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老化被定義為頻率隨時(shí)間的變化，通常表現(xiàn)出指數(shù)正衰減的頻率漂移特性。然而，頻率變化的方向可以是正的，也可以是負(fù)的。如圖所示，石英諧振器的老化性能可能由多種因素共同決定。例如，當(dāng)石英晶體諧振器同時(shí)受到兩個(gè)具有不同衰減率、方向相反的機(jī)制作用時(shí)，就會(huì)發(fā)生方向逆轉(zhuǎn)。
導(dǎo)致晶體老化的主要因素有兩個(gè)。首先是機(jī)械應(yīng)力，主要是由于諧振器機(jī)械安裝內(nèi)部應(yīng)力水平的變化。第二是分子污染，即使精密諧振器是在極高真空條件下極其清潔的環(huán)境中加工和密封的。這些因素可以分為兩類;可逆和不可逆，包括機(jī)械和熱應(yīng)力，污染和分子遷移(質(zhì)量載荷)。
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402F30711CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 30.72MHz
402F36011CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 36MHz
402F37411CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 37.4MHz
402F16011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 16MHz
影響老化的可逆因素:
從高能態(tài)到低能態(tài)的分子流影響石英晶體諧振器的質(zhì)量。
熱梯度引起的跨諧振腔的機(jī)械應(yīng)力。
影響老化的不可逆因素:
由于制造過程(鋸切、研磨、拋光等)，諧振腔中的應(yīng)力松弛。
通過汽化金屬電極鍍層的凝結(jié)，對(duì)諧振器施加的應(yīng)力的松弛。
由于機(jī)械安裝結(jié)構(gòu)，橫跨諧振器的應(yīng)力松弛。
鍍層遷移到石英中。
假設(shè)諧振器在高溫下工作，并保持連續(xù)振蕩
烤箱控制晶體振蕩器，OCXO)。在這種情況下，可逆效應(yīng)將達(dá)到平衡，而不可逆效應(yīng)將決定老化速率。
如果烘箱和振蕩器電源中斷一段時(shí)間，使諧振器冷卻，然后重新啟動(dòng)，諧振器不會(huì)立即恢復(fù)到中斷前的老化速率和頻率.
402F19211CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 19.2MHz
402F20011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 20MHz
402F20411CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 20.48MHz
402F24011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 24MHz
402F25011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 25MHz
402F26011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 26MHz
402F27011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 27MHz
402F27111CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 27.12MHz
402F30011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 30MHz
402F30711CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 30.72MHz
402F32011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 32MHz
402F36011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 36MHz
402F37411CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 37.4MHz
402F38411CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 38.4MHz
402F40011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 40MHz
402F16011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 16MHz
402F19211CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 19.2MHz
402F20011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 20MHz
402F20411CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 20.48MHz
402F24011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 24MHz
402F25011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 25MHz
402F26011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 26MHz
402F27011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 27MHz
402F27111CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 27.12MHz
402F30011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 30MHz
402F30711CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 30.72MHz
402F32011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 32MHz
402F36011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 36MHz
402F37411CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 37.4MHz
402F38411CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 38.4MHz
402F40011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 40MHz
402F48012IKR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
402F50012IKR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
402F54012IKR CTS晶振 402 MHz Crystal 54MHz
402F48012IJR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
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402F48012IAR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
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402F48012IDR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
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402F48022IKR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
402F50022IKR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
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402F50022IJR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
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402F48022IAR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
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402F50022IDR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
402F54022IDR CTS晶振 402 MHz Crystal 54MHz
402F54012IDR CTS晶振 402 MHz Crystal 54MHz
445I23D24M57600 CTS晶振 445 MHz Crystal 24.576MHz
445I23D24M57600 CTS晶振 445 MHz Crystal 24.576MHz
445I23D24M57600 CTS晶振 445 MHz Crystal 24.576MHz
445I23S12M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 12MHz
445I23A12M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 12MHz
445I23E12M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 12MHz
445I23K12M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 12MHz
445I23L12M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 12MHz
445I23C12M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 12MHz
445I23S14M31818 CTS晶振 445 MHz Crystal 14.31818MHz
445I23A14M31818 CTS晶振 445 MHz Crystal 14.31818MHz
445I23E14M31818 CTS晶振 445 MHz Crystal 14.31818MHz
445I23K14M31818 CTS晶振 445 MHz Crystal 14.31818MHz
445I23L14M31818 CTS晶振 445 MHz Crystal 14.31818MHz
445I23C14M31818 CTS晶振 445 MHz Crystal 14.31818MHz
445I23S20M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 20MHz
445I23A20M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 20MHz
445I23E20M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 20MHz
445I23K20M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 20MHz
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445I23C20M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 20MHz
445I23S24M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 24MHz
445I23A24M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 24MHz
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445I25A14M31818 CTS晶振 445 MHz Crystal 14.31818MHz
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445I25K14M31818 CTS晶振 445 MHz Crystal 14.31818MHz
445I25L14M31818 CTS晶振 445 MHz Crystal 14.31818MHz
445I25C14M31818 CTS晶振 445 MHz Crystal 14.31818MHz
445I25S20M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 20MHz
445I25A20M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 20MHz
445I25D20M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 20MHz
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445I25K20M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 20MHz
445I25L20M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 20MHz
445I25C20M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 20MHz
CTS 589型是一款高性能溫度補(bǔ)償晶體振蕩器[TCXO]，適用于要求地層3性能的應(yīng)用。采用集成電路技術(shù)與HCMOS輸出和模擬溫度補(bǔ)償發(fā)動(dòng)機(jī);加上基礎(chǔ)石英晶體M589具有優(yōu)良的穩(wěn)定性和低抖動(dòng)/相位噪聲性能。
功能特性
陶瓷表面安裝組件
基本晶體設(shè)計(jì)
頻率范圍5 - 52MHz *
工作電壓+2.5V、+3.0V、+3.3V
頻率穩(wěn)定性，整體±4.6ppm
工作溫度范圍:-40℃~ +85℃
頻率調(diào)節(jié)電壓控制選項(xiàng)[VCTCXO]
磁帶和卷筒包裝，EIA-481
應(yīng)用程序
IEEE 1588時(shí)間,同步以太網(wǎng),基站,家庭基站和微蜂窩技術(shù)
無線通信，測試和測量

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