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首頁金洛博客 6G常用晶體振蕩器的處理和測(cè)試C5S-19.000-18-3030-R

6G常用晶體振蕩器的處理和測(cè)試C5S-19.000-18-3030-R

來源：http://www.kaikei-kansa.com 作者：金洛鑫 2023年06月25

本篇文章主要提供了與晶體振蕩器測(cè)試相關(guān)的一些常見問題的答案。

1. ESD(靜電敏感器件)處理

晶體振蕩器是靜電敏感器件，避免用手指直接接觸端子。必須按照IEC 61340-5-1和EN 100015-1建立的ESD處理規(guī)則進(jìn)行正確的處理，以避免靜電損壞內(nèi)部電路而導(dǎo)致振蕩器性能下降。如果沒有特別說明，我們的振蕩器符合根據(jù)IEC 61000-4-2的人體模型(HBM)的要求。

2. 處理

在操作過程中以及手動(dòng)和自動(dòng)組裝過程中，必須避免過度的機(jī)械沖擊。如果振蕩器無意中被摔落或受到強(qiáng)烈沖擊，應(yīng)驗(yàn)證其電氣功能是否仍在規(guī)范范圍內(nèi)。

3.電力供應(yīng)

為避免電勢(shì)失控，石英晶體振蕩器應(yīng)在所有端子連接正確后才上電。必須避免將“熱插入”到已經(jīng)連接到電源的夾具中，

極性錯(cuò)誤或電源電壓過高會(huì)對(duì)振蕩器造成永久性損壞。

強(qiáng)烈建議在振蕩器的直流電源輸入(VCC)端子和接地(GND)端子之間增加一個(gè)或兩個(gè)接線最短的阻塞電容。典型值為10nf (X7R)和100pf (C0G)。µF范圍內(nèi)的額外散裝電容器可以插入電路板上的任何位置，良好的工程實(shí)踐是使用接地和供電電壓平面(多層)印刷電路板。

如果振蕩器輸出信號(hào)的低相位噪聲是一個(gè)問題，在選擇低噪聲、低雜散的電源時(shí)必須特別注意。對(duì)于參考測(cè)量，強(qiáng)烈建議使用電池操作。

4. 輸出功率
a.正弦波輸出50 Ω終止

50 Ω終端應(yīng)直接連接在RF輸出端或50 Ω同軸電纜的末端。如果需要多個(gè)連接(例如到示波器或功率計(jì)和頻率計(jì)數(shù)器)，則應(yīng)使用50 Ω功率分配器或耦合器。為了精確的幅度測(cè)量，必須確保測(cè)試儀器的輸入阻抗精確地為50 Ω，且駐波比在規(guī)定的范圍內(nèi)。對(duì)于某些示波器和頻率計(jì)數(shù)器來說，情況并非如此。在這種情況下，應(yīng)在儀器輸入端插入10db衰減器b.單方波(邏輯)輸出

i.TTL輸出
CL = 5 pF per gate (fan-out). It includes the input capacitance of the probe or oscilloscope
ii.(H)CMOS和LVCMOS輸出

CL = 15 pF or 50 pF, depends on the specification. It includes the input capacitance of the probe or oscilloscope
c.兩個(gè)互補(bǔ)的方波輸出

i.PECL輸出

ii.LVDS輸出

注意：同軸電纜，其端接不以其標(biāo)稱阻抗(通常50 Ω)會(huì)造成輸出信號(hào)的失真和退化，原因有兩個(gè)
-阻抗失配會(huì)產(chǎn)生反射，從而導(dǎo)致波形失真。對(duì)方波邏輯輸出信號(hào)的影響尤其顯著。
-非端接同軸電纜對(duì)地的輸入阻抗約為100pf /米(只要電纜長(zhǎng)度比四分之一波長(zhǎng)小)。該電容與所連接設(shè)備(如測(cè)試儀器)的輸入電容相連接，產(chǎn)生電容性過載條件，從而使輸出電壓失真和退化。
5. 電子頻率控制(EFC)
為電子頻率控制(EFC)提供手段的晶體振蕩器必須正確連接，以確保在規(guī)定的公差范圍內(nèi)以標(biāo)稱頻率運(yùn)行。在任何情況下都應(yīng)該避免EFC (VC)輸入浮動(dòng)。
a.外部控制電壓
如果EFC輸入由外部直流控制電壓饋送，則必須注意，通過直接在VC和進(jìn)口晶體振蕩器的接地(GND)端子之間施加控制電壓來避免帶有直流電源電流的接地回路。
注意:來自EFC電源的噪聲可能會(huì)降低射頻信號(hào)的相位噪聲和抖動(dòng)性能。因此，電池或超低噪聲直流電源對(duì)于精確的相位噪聲和抖動(dòng)測(cè)量是必要的。為避免噪音進(jìn)入EFC端口，EFC引腳不應(yīng)保持浮動(dòng)打開狀態(tài)。
b.外部電位器
如果外部電位器用于頻率控制，其電阻應(yīng)低于EFC (VC)輸入的輸入阻抗至少五倍。
某些振蕩器(TCXO和OCXO)提供單獨(dú)的參考電壓輸出(VREF)端子，用于提供頻率控制電位器。該參考電壓具有低噪聲，并且在制造過程中的溫度補(bǔ)償過程中考慮了其對(duì)溫度的穩(wěn)定性。連接方案如下所示：

電位器POT應(yīng)該是低噪聲(金屬陶瓷或金屬薄膜)類型，其電阻值必須選擇這樣，即不超過VREF輸出的最大允許電流損耗。10 kΩ在大多數(shù)情況下是合適的，強(qiáng)烈建議在VC輸入處附加濾波。
6. 溫度下頻率穩(wěn)定性測(cè)試
重要的定義
工作溫度范圍:振蕩器保持規(guī)格的溫度范圍。
可工作溫度范圍:振蕩器仍可工作的溫度范圍，但可能超過某些參數(shù)。
  • 頻率對(duì)溫度穩(wěn)定性：在額定電壓和負(fù)載條件下，在工作溫度范圍內(nèi)振蕩器頻率的最大偏差，沒有隱含參考，其他條件不變。
    • f-T stability = ±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)
    初始頻率-溫度精度:振蕩器頻率的最大偏差是指在標(biāo)稱電源和負(fù)載條件下，在工作溫度范圍內(nèi)的標(biāo)稱頻率，其他條件不變。
f-T accuracy = ± MAX[δfmax,δfmin],
where δfmax = |(fmax-fnom)/fnom|
δfmin = |(fmin-fnom)/fnom|
注:對(duì)于SPXO和VCXO，有時(shí)頻率在參考溫度下使用fref(25°C)代替fnom作為參考
測(cè)試程序：一種用于評(píng)估產(chǎn)品、系統(tǒng)或組件性能的標(biāo)準(zhǔn)化過程，通常包括一系列特定的測(cè)試步驟、條件和評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)。
振蕩器應(yīng)承受2米/秒至3米/秒的適度空氣循環(huán)。這對(duì)于測(cè)量OCXO尤其重要。如果在靜止空氣中測(cè)量，如果腔室溫度接近工作溫度范圍的上限，則內(nèi)部烘箱的溫度控制可能不再正常工作。對(duì)于PXO和VCXO，溫度斜坡應(yīng)小于5K/min，且小于對(duì)于OCXO和具有較高熱質(zhì)量的裝置1K/min。應(yīng)通過適當(dāng)?shù)慕輹r(shí)間使腔室穩(wěn)定在規(guī)定的溫度下，輸出頻率(和振幅)的測(cè)量應(yīng)在達(dá)到熱平衡后以足夠的精度和分辨率進(jìn)行。
7.相位噪聲測(cè)試
為了獲得準(zhǔn)確的結(jié)果，必須采取一些預(yù)防措施
a.電源電壓應(yīng)具有低噪聲。避免使用開關(guān)電源(PSU)。建議使用電池操作。推薦使用>100µF的高電容阻斷電容。
b.電子頻率控制(EFC)輸入對(duì)噪聲非常敏感，因?yàn)樗苯诱{(diào)制晶體振蕩器級(jí)。因此控制電壓(VC)必須來自極低噪音的直流電源，最好是電池。一些相位噪聲測(cè)試儀器提供了一個(gè)合適的噪聲源?？刂齐妷簯?yīng)通過屏蔽(同軸)電纜連接。如果振蕩器包含參考電壓(VREF)輸出，則強(qiáng)烈建議根據(jù)第5b段所示的電路從中導(dǎo)出控制電壓，或者，VC輸入可以連接到地引腳。
c.為避免環(huán)境雜散響應(yīng)的干擾，建議將被測(cè)設(shè)備放置在電磁屏蔽柜中。
d.由于其固有的壓電性，振蕩器中的晶體單元對(duì)任何機(jī)械振動(dòng)都非常敏感。因此，被測(cè)振蕩器不應(yīng)與被測(cè)設(shè)備放在同一臺(tái)，因?yàn)樗恼駝?dòng)是由風(fēng)扇和變壓器引起的。
e.如果必須測(cè)量非常低的本底噪聲級(jí)，則必須注意測(cè)試儀器的本底噪聲足夠低，并且相關(guān)的數(shù)量足夠高(在互相關(guān)測(cè)試模式下)。
8. 短期穩(wěn)定性檢驗(yàn)
短期穩(wěn)定性的推薦指標(biāo)是所謂的艾倫偏差(ADEV)或重疊艾倫偏差(OADEAV)。參見IEC 62884-4。
現(xiàn)代高分辨率計(jì)數(shù)器的使用可能由于內(nèi)部插值過程而導(dǎo)致錯(cuò)誤的結(jié)果。為避免干擾和觸發(fā)錯(cuò)誤，必須采取以下預(yù)防措施:
-在測(cè)試裝置中避免接地回路
-使用相穩(wěn)定電纜
-通過方波產(chǎn)生，被測(cè)信號(hào)必須具有快速的上升和衰減時(shí)間，并具有較低的附加抖動(dòng)和遲滯
-對(duì)于電源電壓和控制電壓，必須考慮與相位噪聲測(cè)量相同的考慮因素(見第7段)
-環(huán)境溫度必須盡可能穩(wěn)定。強(qiáng)烈建議對(duì)環(huán)境和氣流進(jìn)行隔熱，必須嚴(yán)格避免噪音和振動(dòng)
-當(dāng)被測(cè)振蕩器的電磁靈敏度較高時(shí)，可能需要對(duì)被測(cè)振蕩器進(jìn)行電磁屏蔽
在計(jì)算分析之前，應(yīng)該對(duì)數(shù)據(jù)集進(jìn)行一致性檢查。如果確定這些異常值，即相位或頻率跳變是由外部影響引起的，而不是來自信號(hào)發(fā)生器，則應(yīng)識(shí)別并去除這些異常值。
在開始數(shù)據(jù)采集之前，振蕩器必須在較長(zhǎng)的穩(wěn)定時(shí)間內(nèi)連續(xù)工作。溫度穩(wěn)定振蕩器(OCXO)需要比其他振蕩器類型(SPXO, VCXO和TCXO)更長(zhǎng)的穩(wěn)定時(shí)間。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，穩(wěn)定的標(biāo)準(zhǔn)值應(yīng)不少于12小時(shí)，對(duì)于OCXO和其他參考測(cè)量，被測(cè)振蕩器應(yīng)至少穩(wěn)定24小時(shí)。
9. 頻率老化試驗(yàn)
振蕩器應(yīng)連續(xù)30天保持在規(guī)定的溫度、公差和穩(wěn)定性。插入烘箱后，應(yīng)使振蕩器與室內(nèi)空氣溫度保持平衡。然后振蕩器應(yīng)通電并穩(wěn)定1小時(shí)，然后開始測(cè)量采集周期。振蕩器的初始頻率應(yīng)在穩(wěn)定期(1小時(shí))后立即測(cè)量，此后每隔不超過72小時(shí)測(cè)量一次(每次最長(zhǎng)間隔為96小時(shí)除外30天的期限是允許的)，至少30天。老化溫度為+70℃或規(guī)定的最高工作溫度，以較低者為準(zhǔn)。
在插入烤箱后，晶體振蕩器在開始測(cè)量采集前應(yīng)在老化溫度下穩(wěn)定48小時(shí)(除非另有規(guī)定)。每個(gè)單元的頻率應(yīng)在穩(wěn)定期后立即測(cè)量，然后每周至少測(cè)量四次，間隔至少為20小時(shí)。
a.非溫度穩(wěn)定振蕩器的老化試驗(yàn)
-至少通電一小時(shí)
-在參考溫度下的初始頻率測(cè)量，例如25°C
−在Toven(如85°C或TBD)的烤箱中儲(chǔ)存，但不高于最高可操作溫度。
−1、2、5、10、20天后的中間測(cè)量。
−測(cè)量時(shí)，請(qǐng)將振蕩器從烤箱中取出，在室溫下保存1小時(shí)，以免溫度沖擊
−參考溫度下測(cè)量頻率
−頻率@參考溫度30天后的最終測(cè)量
b.OCXO老化試驗(yàn)
-OCXO保持在室溫下
−至少上電2小時(shí)。
−中間頻率測(cè)量每周5次(AXTAL:每小時(shí)1次)。
−30天后頻率的最終測(cè)量。
−從第3天開始的數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合和評(píng)估。
所獲得的測(cè)量值應(yīng)使用最小二乘法擬合下列函數(shù)之一:
− Logarithmic Fit: f(t)Log = a0 + a1· log (a2· t + 1)
− Polynomial Fit: f(t)Poly = a0 + a1 · t + a2 · t 0.5,
其中f(t)為晶體振蕩器的頻率，老化周期開始后的第t天，a0, a1, a2是由最小二乘擬合確定的常數(shù)。
在規(guī)定周期結(jié)束時(shí)，總頻率變化和老化率應(yīng)使用最小二乘擬合確定的常數(shù)由上式確定。
一段時(shí)間內(nèi)預(yù)計(jì)的總頻率變化應(yīng)按以下公式計(jì)算:
− Aging per day (aging rate) = f(d0 + 1) - f(d0)
− Aging per month = f(d0 + 30) - f(d0)
− Aging per year = f(d0 + 365) - f(d0),
其中f(t)為老化近似a)或b)中的一個(gè)，擬合參數(shù)為a0、a1、a2, d0為老化試驗(yàn)的最后一天加30天。
注意：通常使用相對(duì)頻率?f/f (ppm或ppb)代替頻率f (Hz)。
10. 根據(jù)MIL-PRF-55310進(jìn)行篩選
對(duì)高可靠性振蕩器進(jìn)行了100%篩選試驗(yàn)。對(duì)于高可靠性空間應(yīng)用，采用S級(jí)篩選，對(duì)于其他高可靠性應(yīng)用，采用B級(jí)篩選。對(duì)于第1類振蕩器(離散技術(shù))和第3類振蕩器(混合技術(shù))，篩選程序包括以下步驟:
Test Level S Level B
Random vibration MIL-STD-202, meth. 214,cond. I-B, 5 min/axis N/A
Thermal shock MIL-STD-202, meth. 107,cond. A-1 MIL-STD-202, meth. 107,cond. A-1
Electrical test:
input current/power
Output waveform
Output level
As specified
X
X
X
X
N/A
N/A
N/A
X
Burn-in (load) 240 h @ max. operating temperature 160 h @ max. operating temperature
Electrical test:
input current/power
Output waveform
Output level
As specified
X
X
X
X
N/A
N/A
N/A
X
Seal test MIL-STD-202, meth. 112 MIL-STD-202, meth. 112
Radiographic MIL-STD-202, meth. 209 N/A
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原廠編號(hào) 品牌供應(yīng)商 型號(hào) 頻率 頻率穩(wěn)定性 頻率容差 負(fù)載電容
C16-32.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 32 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-24.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 24 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-25.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 25 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-26.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 26 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-27.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 27 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-28.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 28 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-29.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 29 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-30.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 30 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-36.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 36 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-38.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 38 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-39.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 39 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-46.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 46 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-47.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 47 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-48.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 48 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-49.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 49 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-50.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 50 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-51.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 51 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-52.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 52 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-53.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 53 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C1E-25.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 25 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-26.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 26 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-27.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 27 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-28.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 28 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-29.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 29 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-30.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 30 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-31.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 31 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-32.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 32 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-33.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 33 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-34.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 34 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-35.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 35 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-36.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 36 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-37.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 37 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-38.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 38 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-39.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 39 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-40.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 40 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-41.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 41 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-42.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 42 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-43.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 43 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-44.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 44 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-45.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 45 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C16-32.000-8-3030-X-R Aker晶振 C16 32 MHz ±30ppm ±30ppm 8pF
C2E-16.000-8-1530-X-R Aker晶振 C2E 16 MHz ±30ppm ±15ppm 8pF
C1E-24.000-8-1515-R Aker晶振 C1E 24 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C2E-24.000-10-1010-R Aker晶振 C2E 24 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
C1E-16.000-10-1010-R Aker晶振 C1E 16 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
C2E-25.000-10-3030-X-R Aker晶振 C2E 25 MHz ±30ppm ±30ppm 10pF
C5S-17.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 17 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-18.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 18 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-19.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 19 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-20.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 20 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-21.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 21 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-22.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 22 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-23.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 23 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-24.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 24 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-25.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 25 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-26.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 26 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-27.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 27 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-28.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 28 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-29.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 29 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-30.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 30 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-31.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 31 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-32.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 32 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-33.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 33 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-34.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 34 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-35.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 35 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-36.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 36 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C2E-16.000-10-1010-R Aker晶振 C2E 16 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
C16-26.000-8-1520-R Aker晶振 C16 26 MHz ±20ppm ±15ppm 8pF
C1E-32.000-10-1015-X-R Aker晶振 C1E 32 MHz ±15ppm ±10ppm 10pF
C1E-24.000-10-1015-M Aker晶振 C1E 24 MHz ±15ppm ±10ppm 10pF
C1E-48.000-8-1015-X-R Aker晶振 C1E 48 MHz ±15ppm ±10ppm 8pF
C1E-18.000-10-1015-R Aker晶振 C1E 18 MHz ±15ppm ±10ppm 10pF
C2E-16.000-12-3030-X-R Aker晶振 C2E 16 MHz ±30ppm ±30ppm 12pF
C7S-8.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 8 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C5S-12.000-18-1020-R Aker晶振 C5S 12 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C3E-20.000-8-3050-X1-R Aker晶振 C3E X1 20 MHz ±50ppm ±30ppm 8pF
C3E-20.000-10-3050-X1-R Aker晶振 C3E X1 20 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF
C3E-16.000-10-2050-X1-R Aker晶振 C3E X1 10 MHz ±50ppm ±20ppm 10pF
C3E-12.000-8-2050-X1-R Aker晶振 C3E X1 12 MHz ±50ppm ±20ppm 8pF
C2E-12.000-10-2050-X1-R Aker晶振 C2E X1 12 MHz ±50ppm ±20ppm 10pF
C2E-12.000-8-2050-X1-R Aker晶振 C2E X1 12 MHz ±50ppm ±20ppm 8pF
C3E-16.000-10-3050-X1-R Aker晶振 C3E X1 16 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF
C2E-20.000-10-2050-X1-R Aker晶振 C2E X1 20 MHz ±50ppm ±20ppm 10pF
C3E-30.000-8-2050-X1-R Aker晶振 C3E X1 8 MHz ±50ppm ±20ppm 8pF
C3E-16.000-8-2050-X1-R Aker晶振 C3E X1 16 MHz ±50ppm ±20ppm 8pF
C7S-16.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 16 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-17.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 17 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-18.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 18 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-19.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 19 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-20.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 20 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-21.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 21 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-22.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 22 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-23.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 23 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-24.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 24 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-25.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 25 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-26.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 26 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-27.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 27 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-28.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 28 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-29.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 29 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-30.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 30 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-31.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 31 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-32.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 32 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-33.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 33 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-34.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 34 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-35.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 35 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
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C7S-37.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 37 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-48.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 48 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-8.000-18-1030-X-R Aker晶振 C7S 8 MHz ±30ppm ±10ppm 18pF
C2E-12.000-18-1020-X-R Aker晶振 C2E 12 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C2E-12.000-18-1020-R Aker晶振 C2E 12 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C2E-19.200-13-2030-X-R Aker晶振 C2E 19.2 MHz ±30ppm ±20ppm 13pF
C2E-32.000-13-2030-X-R Aker晶振 C2E 32 MHz ±30ppm ±20ppm 13pF
C2E-33.000-13-2030-X-R Aker晶振 C2E 33 MHz ±30ppm ±20ppm 13pF
C2E-34.000-13-2030-X-R Aker晶振 C2E 34 MHz ±30ppm ±20ppm 13pF
C2E-35.000-13-2030-X-R Aker晶振 C2E 35 MHz ±30ppm ±20ppm 13pF
C2E-36.000-13-2030-X-R Aker晶振 C2E 36 MHz ±30ppm ±20ppm 13pF

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