- 規(guī)格型號(hào)：19751860
- 頻率：32.768KHz
- 尺寸：Φ1.2 x 4.7mm詳情請(qǐng)參考PDF資料
- 產(chǎn)品描述：VT-120-F晶振,進(jìn)口圓柱晶體,SEIKO晶振,.小體積時(shí)鐘晶體諧振器,音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時(shí)鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無(wú)...
VT-120-F晶振,進(jìn)口圓柱晶體,SEIKO晶振
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VT-120-F晶振,進(jìn)口圓柱晶體,SEIKO晶振,.小體積時(shí)鐘晶體諧振器,音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時(shí)鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn).
| 項(xiàng) 目 | 記 號(hào) | 仕 様 |
| 標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 32.768kHz |
| 頻率公差（標(biāo)準(zhǔn)） | f_tol |
(±5 x 10-6), ±10 x 10-6, ±20 x 10-6 |
| 頂點(diǎn)溫度 | Ti | +25±5ºC |
| 二次溫度係數(shù) | B |
(−3.5±0.8) x 10-8/ºC2 |
| 負(fù)載電容 | CL | 4.5pF to 12.5pF |
| 串聯(lián)電阻 | R1 | 60kΩ max. |
| 最大激勵(lì)功率 | DLmax. | 0.1μW |
| 激勵(lì)功率 | DL | 0.01μW |
| 分路電容 | C 0 | 0.9pF typ. |
| 頻率老化 | f_age | ±3 x 10-6 |
| 工作溫度范圍 | T_use | −20ºC to +60ºC |
| 儲(chǔ)存溫度范圍 | T_stg | −30ºC to +70ºC |
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晶振是一種易碎元器件，1，對(duì)于晶振的保存方式，首先要考慮其周圍的潮濕度，做好防擠壓措施，放在干燥通風(fēng)的地方，使其晶體避免受潮導(dǎo)致其他電氣參數(shù)發(fā)生變化.2，其次對(duì)于易碎的晶振器件要做好防震措施，不宜放在較高的貨架上，在使用的過(guò)程，也不宜使晶振跌落，一般來(lái)說(shuō)，從高空跌落的晶振不應(yīng)再次使用.3，在晶振焊錫過(guò)程中，其焊錫的溫度不宜過(guò)高，焊錫時(shí)間也不宜過(guò)長(zhǎng)，防止晶體因此發(fā)生內(nèi)變，而產(chǎn)生不穩(wěn)定.4，晶振外殼需要接地時(shí)，應(yīng)該確保外殼和引腳不被意外連通而導(dǎo)致短路.從而導(dǎo)致晶體不起振，5，保證兩條引腳的焊錫點(diǎn)不相連，否則也會(huì)導(dǎo)致晶體停振，6，對(duì)于需要剪腳的晶振，應(yīng)該注意機(jī)械應(yīng)力的影響。7，焊錫之后，要進(jìn)行清洗，以免絕緣電阻不符合要求
