- 規(guī)格型號(hào)：77369437
- 頻率：32.768KHz
- 尺寸：3.8x8.0mm詳情請(qǐng)參考PDF資料
- 產(chǎn)品描述：CM200S,CITIZEN晶體,進(jìn)口晶振,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝...
CM200S,CITIZEN晶體,進(jìn)口晶振
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CM200S,CITIZEN晶體,進(jìn)口晶振,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
| 項(xiàng)目 | 符號(hào) | CM200S | CM250S | 條件 |
| 額定頻率范圍 | f_nom | 32.768KHz | 30KHz~100KHz | 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
| 儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -55°C to +125°C | 裸存 | |
| 工作溫度 | T_use | -40°C to +85°C | ||
| 激勵(lì)功率 | DL | 0.5μW (1.0μW Max.) | 如果你有最大激勵(lì)功率為1.0μW 的需求,請(qǐng)聯(lián)系我們. | |
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頻率公差 （標(biāo)準(zhǔn)） |
f_tol | ±20 × 10-6 |
+25°C, DL=0.1μW 如需更嚴(yán)格的公差，聯(lián)系我們 |
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| 拐點(diǎn)溫度 | Ti | +25°C ±5°C | ||
| 頻率溫度系數(shù) | B | -0.04 × 10-6/ °C2 Max. | ||
| 負(fù)載電容 | CL | 12.5pF | 可指定 | |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 70kΩ Max. | 70kΩ to 45kΩ | |
| 串聯(lián)電容 | C1 | 3.4fF Typ. | 3.7fF to 1.6fF | |
| 分路電容 | C0 | 1.0pF Typ. | 1.3pF to 0.5pF | |
| 頻率老化 | f_age | ±3 ×10-6 / year Max. | +25°C, 第一年 | |
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晶振是一種易碎元器件，1，對(duì)于晶振的保存方式，首先要考慮其周圍的潮濕度，做好防擠壓措施，放在干燥通風(fēng)的地方，使其晶體避免受潮導(dǎo)致其他電氣參數(shù)發(fā)生變化.2，其次對(duì)于易碎的晶振器件要做好防震措施，不宜放在較高的貨架上，在使用的過(guò)程，也不宜使晶振跌落，一般來(lái)說(shuō)，從高空跌落的晶振不應(yīng)再次使用.3，在晶振焊錫過(guò)程中，其焊錫的溫度不宜過(guò)高，焊錫時(shí)間也不宜過(guò)長(zhǎng)，防止晶體因此發(fā)生內(nèi)變，而產(chǎn)生不穩(wěn)定.4，晶振外殼需要接地時(shí)，應(yīng)該確保外殼和引腳不被意外連通而導(dǎo)致短路.從而導(dǎo)致晶體不起振，5，保證兩條引腳的焊錫點(diǎn)不相連，否則也會(huì)導(dǎo)致晶體停振，6，對(duì)于需要剪腳的晶振，應(yīng)該注意機(jī)械應(yīng)力的影響。7，焊錫之后，要進(jìn)行清洗，以免絕緣電阻不符合要求
