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晶振系列

首頁進(jìn)口晶振泰藝晶振,X3晶振,1612晶振,石英晶體諧振器,X3LAAAAANF-26.000000

    泰藝晶振,X3晶振,1612晶振,石英晶體諧振器,X3LAAAAANF-26.000000

  • 規(guī)格型號(hào):86074501
  • 頻率:26.000MHZ~54.000MHZ
  • 尺寸:1.6*1.2*0.35mm 詳細(xì)資料請查看PDF
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:廣泛用于筆記本電腦,無線電話,"X3LAAAAANF-26.000000"衛(wèi)星導(dǎo)航HDD,SSD,USB,Blu-ray,MP5,藍(lán)牙耳機(jī),無線鼠標(biāo),臺(tái)式電腦鍵盤等領(lǐng)域產(chǎn)品上.

泰藝晶振,X3晶振,1612晶振,石英晶體諧振器"X3LAAAAANF-26.000000"
參數(shù):頻率范圍26.000MHZ-54.000MHZ
激勵(lì)電平: 10μW (Max. 200μW )
負(fù)載電容: 3PF
工作溫度: -20℃~+70℃
保存溫度: -40℃~+125℃
精度 ±10ppm
捆包單位:3000pcs/reel
尺寸:世界級(jí)超小輕薄1.6*1.2*0.35mm
應(yīng)用:數(shù)碼相機(jī),無線通訊,計(jì)算機(jī),USB接口,座機(jī),對講機(jī),萬能遙控器,全球定位系統(tǒng)等民用小型產(chǎn)品。

       泰藝電子多年來致力于研發(fā)創(chuàng)新,部分核心技術(shù)是臺(tái)灣晶振業(yè)界的領(lǐng)先者,近年來陸續(xù)取得石英相關(guān)制造技術(shù)專利;未來將持續(xù)加強(qiáng)開發(fā),"X3LAAAAANF-26.000000"以成為全球石英頻控組件領(lǐng)導(dǎo)者之目標(biāo)邁進(jìn)。

       面對環(huán)境的劇烈變化,泰藝晶振電子堅(jiān)持塑造一個(gè)安心工作的健康職場,創(chuàng)造幸福員工生活,并使用符合環(huán)保要求的設(shè)備,以及推動(dòng)許多節(jié)能措施,成為一個(gè)愛護(hù)環(huán)境且保護(hù)地球的企業(yè)。

      泰藝晶振,X3晶振,1612晶振,石英晶體諧振器,是臺(tái)灣進(jìn)口品牌泰藝電子公司中最小的一款無源石英水晶振動(dòng)子,只有1612mm,厚0.35mm的尺寸可以說是世界級(jí)的小體積,小到可以顛覆你的想像,所以最適合用于小型的民用電子產(chǎn)品,工作時(shí)的溫度特性為-20℃~+70℃,X3晶振具有耐高溫特性,"X3LAAAAANF-26.000000"不用擔(dān)心因體積小會(huì)影響晶振的使用。

泰藝晶振型號(hào) X3晶振,臺(tái)灣進(jìn)口晶體
頻率范圍 26.000MHZ~54.000MHZ
頻率公差(25℃) ±10ppm 可指定
頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍 ±5ppm,±10ppm,±15ppm 可指定
操作溫度范圍  -20℃~+70℃,可指定
并聯(lián)電容CO 3pF Max.
驅(qū)動(dòng)電平 10μW (Max. 200μW )
負(fù)載電容 12PF,可指定
老化(25℃) ±3 ppm /年最大。
存儲(chǔ)溫度范圍 -40℃~+125℃




抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如晶振從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用
"X3LAAAAANF-26.000000"。 

輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。 
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。 
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。 
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。
"X3LAAAAANF-26.000000"請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。

輸出波形與測試電路
1.時(shí)序表

2.    測試條件
(1)   電源電壓
   超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
  電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他
   輸入電容低于 15 pF
   5倍頻率范圍或更多測量頻率"X3LAAAAANF-26.000000"。
   鉛探頭應(yīng)盡可能短。
   測量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過SMD晶振的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測量。
(3)   其他
    CL包含探頭電容。
    應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
    使用微型插槽,以觀察波形。
(請勿使用該探頭的長接地線。)

3.    測試電路

X3 :在頻率電壓控制功能時(shí),進(jìn)行連接
1CMOS 負(fù)載
型號(hào):

X3
2 抗低,電容負(fù)載
型號(hào):

X3
              
3 TTL 負(fù)載
型號(hào):

X3
               
4 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

X3
                 
5LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

X3
6 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

X3
7 LVDS 負(fù)載
型號(hào):

X3
8 HCSL 負(fù)載
型號(hào):

X3

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