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晶振系列

首頁進口晶振希華晶振,SX-2520晶振,2520晶振,進口晶振

    希華晶振,SX-2520晶振,2520晶振,進口晶振

  • 規(guī)格型號:68190968
  • 頻率:12.000MHZ-66.000MHZ
  • 尺寸:2.5*2.0*0.55mm 詳細資料請查看PDF
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:產(chǎn)品應(yīng)用范圍包含行動電話,平板電腦,衛(wèi)星通訊,車載系統(tǒng),個人電腦,無線通信及家用產(chǎn)品等.

希華晶振,SX-2520晶振,2520晶振,進口晶振
參數(shù):頻率范圍12.000MHZ-66.000MHZ
激勵電平: 10μW (Max.100μW )
負載電容:12PF
工作溫度: -10℃~+60℃
保存溫度: -40℃~+90℃
精度 ±10ppm
并聯(lián)電容:5PF max.
尺寸:超薄極輕型2.5*3.2.0*0.55mm
應(yīng)用:移動通信終端基準時鐘,無線鼠標,U盤,數(shù)字電表,防盜報警設(shè)備,無線遙控器,無線通訊等領(lǐng)域產(chǎn)品。

       希華敏銳地掌握石英晶振產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流,致力于開發(fā)小型化、高頻與光電領(lǐng)域等產(chǎn)品,與日本同業(yè)并駕齊驅(qū)。且深耕微機電(MEMS)技術(shù)領(lǐng)域,加速導(dǎo)入TF SMD Crystal的量產(chǎn),藉以擴大公司營收規(guī)模并且提升獲利空間。
       SIWARD在追求永續(xù)經(jīng)營的過程中, 依顧客要求及期望,對全體同仁宣告,抱持品質(zhì)優(yōu)先的政策方向,明文訂定經(jīng)營理念及品質(zhì)政策,制造符合顧客要求及適用法規(guī)要求的晶振產(chǎn)品。 


     希華晶振,SX-2520晶振,2520晶振,進口晶振,為一款滿足市場小型化需求的臺灣進口石英晶振,2520mm,厚度0.55mm的尺寸,12.000MHZ-66.000MHZ中頻是這款晶振的優(yōu)勢,小小的體積成為許多生產(chǎn)廠商的首選,SX-2520晶振同時符合歐盟的AEC-Q200標準,常規(guī)的精度為+/-10ppm,特別適用于電子水表,萬年歷電子表等產(chǎn)品領(lǐng)域。

希華晶振型號 SX-2520晶振,希華石英晶振
頻率范圍 12.000MHZ~66.000MHZ
頻率公差(25℃) ±10ppm
頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍 ±10ppm,±15ppm 可指定
操作溫度范圍 -10-+ 60℃,可指定
并聯(lián)電容CO 5pF Max.
驅(qū)動電平 1-100μW(μW100典型)
負載電容 8pF,12pF,可指定
老化(25℃) ±3 ppm /年最大。
存儲溫度范圍 -40-+90℃



抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從
SMD晶體桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解貼片晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞石英晶體諧振器,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。


1. 驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明諧振晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示石英水晶振子的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
 
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加貼片石英晶振振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。
注意事項-振蕩補償.png
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
電容特征.png
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考.png
                           振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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