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晶振系列

首頁進(jìn)口晶振鴻星晶振,HCX-2SB晶振,2520晶振,鴻星貼片晶振

    鴻星晶振,HCX-2SB晶振,2520晶振,鴻星貼片晶振

  • 規(guī)格型號:27943220
  • 頻率:12.000MHZ-62.500MHZ
  • 尺寸:2.5*2.0*0.65mm 詳細(xì)資料請查看PDF
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用于數(shù)碼單反照相機,移動互聯(lián)網(wǎng)終端,筆記本電腦,USB接口,電話機,對講機,車載遙控器,MP5等數(shù)碼產(chǎn)品.

鴻星晶振,HCX-2SB晶振,2520晶振,鴻星貼片晶振
參數(shù):頻率范圍12.000MHZ-62.500MHZ
激勵電平: 50μW (Max.100μW )
負(fù)載電容:12PF
工作溫度: -30℃~+85℃
保存溫度: -55℃~+125℃
精度 ±10ppm,±15ppm,±30ppm
捆包范圍:3000pcs/reel
尺寸:超薄極輕型2.5*2.0*0.65mm
應(yīng)用:無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),多功能辦公自動化,人工智能家電,Bluetooth,Wireless LAN等領(lǐng)域。

       公元1991年于臺灣投入石英晶振之研發(fā)制造、1991年開始于中國大陸拓展生產(chǎn)基地,至今擁有四處生產(chǎn)基地、九處營銷及FAE據(jù)點及十個營銷代表處。鴻星電子已經(jīng)成為全球從事石英頻率控制組件的重要制造商之一,致力于插件式(DIP)與表面黏著式(SMD)石英晶體系列產(chǎn)品之研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)與營銷。
       在以人為本,充分尊重人性的理念上,我們以溝通來達(dá)成共識,以相互尊重維系組織和諧氣氛,創(chuàng)造適性的工作環(huán)境,讓鴻星晶振成為一個高度凝聚力的大家庭。

       鴻星晶振,HCX-2SB晶振,2520晶振,鴻星貼片晶振,作為一款2520mm小體積的石英晶體諧振器,從外觀來講正正方方的貼片型設(shè)計,符合時下流行的小型化概念,0.65mm的厚度可協(xié)助生產(chǎn)廠家節(jié)省產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)的占位,大大的縮小了產(chǎn)品本身的空間,因此HCX-2SB晶振尤其適用于有小型化要求的電子產(chǎn)品。

鴻星晶振型號 HCX-2SB晶振,臺灣鴻星石英晶體諧振器
頻率范圍 12.000MHZ~62.500MHZ
頻率公差(25℃) ±10ppm,±15ppm,±30ppm
頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍 ±10ppm,±15ppm,±30ppm可指定
操作溫度范圍 -30~+ 85℃,可指定
并聯(lián)電容CO 3pF Max.
驅(qū)動電平 50μW(μW100典型)
負(fù)載電容 12pF,可指定
老化(25℃) ±3 ppm /年最大。
存儲溫度范圍 -55~+125℃



激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則石英晶體諧振器振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸SMD晶振的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。


1. 驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明石英水晶振子所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示諧振器的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
 
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加進(jìn)口晶振
振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。
注意事項-振蕩補償.png
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
電容特征.png
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考.png
                           振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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