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晶振系列

首頁進口晶振KDS晶振,DSA1612SDN晶振,1612晶振

    KDS晶振,DSA1612SDN晶振,1612晶振

  • 規(guī)格型號:82698001
  • 頻率:16?60MHz
  • 尺寸:1.6*1.2*0.55mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:KDS晶振對社會需求的變化反應(yīng)靈活,在其核心市場的方法。他們的專家工作人員積極地開發(fā)新產(chǎn)品,滿足市場需求,根據(jù)他們深入了解消費者的需求。KDS晶振正在努力開發(fā)與時代同步的產(chǎn)品,從更小的移動終端到以智能電網(wǎng)為代...


       大真空晶振提供遠(yuǎn)見的解決方案的開發(fā)和制造各種水晶設(shè)備,滿足多樣化的市場需求。同時,大真空已經(jīng)開發(fā)出一種系統(tǒng),使跨職能協(xié)作和合作,由來自不同部門的專家,所以我們能提供我們高品質(zhì)的石英晶振的迅速和有效的方式。石英器件在數(shù)字設(shè)備中起著不可忽視的重要作用,其技術(shù)要求高而精密。KDS的品牌下,我們追求的獨一無二的技術(shù)的發(fā)展,通過工藝的完美結(jié)合,長期以來形成在晶振行業(yè)上的主導(dǎo)作用。

       KDS晶振,DSA1612SDN晶振,1612晶振具有低功耗,低電流,低相位抖動等優(yōu)良的電氣特性,溫度特性達(dá)到-30℃~+85℃,因此也具有耐高溫特性,滿足無鉛高溫回流焊接溫度曲線特性要求,DSA1612SDN晶振同時支持自動貼裝機高效貼裝和手工高溫焊接,在有源晶振屬于較為高級的一類晶振,一般應(yīng)用高端的產(chǎn)品中。

溫補晶振 DSA1612SDN晶振,有源晶振
晶振類型 VC-TCXO振蕩器
占空比 45 %~55 %
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 +1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
頻率范圍 16~60MHz
頻率穩(wěn)定度 ±1.5ppm
工作溫度 30℃~ +85℃ /-40℃~+85℃
保存溫度 30℃~ +85℃ /-40℃~+85℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1VDD/0.9VDD
啟動時間 2.0ms max.
相位抖動(12千赫?20兆赫) 0.6 ps Max.
老化率 ±1.5ppm /年最大。



機械振動的影響
當(dāng)晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管石英晶體諧振器產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
PCB設(shè)計指導(dǎo)
(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于貼片晶振的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存KDS晶振,DSA1612SDN晶振,1612晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 
正常溫度和濕度: 
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
 

1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過單元的電流,
Re表示單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
 
2.振蕩補償
除非在電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加石英晶振啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極
注意事項-振蕩補償.png
3.負(fù)載電容
如果電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致石英晶體振蕩器頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
電容特征.png

頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考.png
                           振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

 

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